Jeweils im Wintersemester
Dozent: Prof. Dr. J. Schmidt
Zeit: jeweils montags 16:00 - 17:30 im Institut in der Appelstraße 2, Raum 203.
Die Vorlesung behandelt Charakterisierungsmethoden für Halbleitermaterialien und –bauelemente. Diese sind untergliedert in folgende Bereiche:
Hörerkreis:Studierende ab dem 5. Semester
Literaturempfehlungen:
- D.K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (2nd ed.), Wiley (1998)
- S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, Wiley (1985)
- Bergmann, Schaefer, Lehrbuch der Experimentalphysik Bd. 6: Festkörper, de Gruyter (1992)
Dozent: J. Schmidt, immer montags unmittelbar nach der Vorlesung.
Dozenten: P. Altermatt, R. Brendel, jeweils mittwochs 8:30 -10:00 im Institut in der Appelstraße 2, Raum 203.
Inhalt: Heutzutage werden die allermeisten Solarzellen aus Silizium hergestellt und haben einen diffundierten pn-Übergang – eine sogenannte "Homojunction", bei der beide Seiten des pn-Übergangs aus dem gleichen Material bestehen. Aus grundsätzlichen Überlegungen folgt, dass ein Hetero-Übergang, bei der der pn-Übergang entlang der Grenzfläche von verschiedenen Materialien erzeugt wird, günstiger sein kann. Die physikalische Beschreibung solcher "Heterojunctions" wird im Seminar besprochen.In diesem Seminar gewinnen Sie einen Überblick über die Physik der Solarzelle sowie einen umfassenden Einblick in die für Solarzellen wichtige Grenzflächenphysik. Themen sind:
Was sind die grundlegenden Verluste in Solarzellen? Welche von ihnen limitieren den Wirkungsgrad am meisten?
Dieser Vortrag beinhaltet die SRH- und Auger-Rekombination sowie QSSPC-Messungen.
SRHRekombination an der Oberfläche, die Raumladungszone an Grenzflächen, Grenzflächen-Zustandsdichte.
Kristallines und amorphes Si werden in der Praxis kombiniert. Doch wie gut ist das Verständnis dieses Hetero-Überganges? WelcheParameter spielen eine wichtige Rolle?
Die atomare Struktur in Grenzflächennähe spielt für das Verhalten des Hetero-Überganges eine sehr großeRolle.
Dieser Vortrag beschreibt die Vorteile einer Solarzelle mit Hetero-Übergang.
Der Transport der Ladungsträger in Zellen mitHetero-Übergängen hängt von beiden Materialien ab und kann durch a-Si limitiertsein.
Sie besteht aus einem kristallinen Si Wafer und hat einen Emitter aus amorphen Si. Wie wird sie hergestellt? Wie kann man ihre Funktionsweise und ihre Vorteile verstehen?
Kontakt: P.P. Altermatt (p.altermatt@isfh.de)
Dozent: P.P. Altermatt, voraussichtlich jeweils freitags 9:00-11:00Ort: ISFH, Vortragssaal, Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal
Behandlung wichtiger Veröffentlichungen aus dem Bereich der Silizium-Photovoltaik. Dieses Seminar ist insbesondere für Diplomanden und Doktoranden der Abteilung Solarenergie zur Vertiefung des Fachwissens geeignet.Gäste sind willkommen und werden gebeten, sich bei Dr. P.P. Altermatt (p.altermatt@isfh.de) anzumelden.
Organisation : R. Reineke-Koch, jeweils dienstags 14:00-16:00Ort: ISFH, Vortragssaal, Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal
Zu aktuellen Themen der Solarenergieforschung laden wir externe Referenten ein. Die Themen der Vorträge sowie die genauen Termine finden Sie hier unter "Veranstaltungen". Gäste sind stets willkommen.


