Deutsch English 

Kopfgrafik

Jeweils im Wintersemester

 

  • Vorlesung "Halbleitercharakterisierung" (2 SWS)
  • Dozent: Prof. Dr. J. Schmidt
    Zeit: jeweils montags 16:00 - 17:30 im Institut in der Appelstraße 2, Raum 203.

     

    Die Vorlesung behandelt Charakterisierungsmethoden für Halbleitermaterialien und –bauelemente. Diese sind untergliedert in folgende Bereiche:

    • Elektrische Charakterisierung: Leitfähigkeit, Kontaktwiderstand, Ladungsträgerdichte und -beweglichkeit, Defekte, Ladungsträgerlebensdauer, Grenzflächen
    • Optische Charakterisierung: Ellipsometrie, Infrarot- und Raman-Spektroskopie, Photolumineszenz, optische Mikroskopie
    • Chemische und physikalische Charakterisierung: Elektronen-Mikroskopie und -Beugung, Auger-Elektronen-Spektroskopie, Sekundärionen-Massenspektrometrie, Rutherford-Rückstreuung, Rastertunnelmikroskopie
    Hörerkreis:Studierende ab dem 5. Semester

    Literaturempfehlungen:

    • D.K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (2nd ed.), Wiley (1998)
    • S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, Wiley (1985)
    • Bergmann, Schaefer, Lehrbuch der Experimentalphysik Bd. 6: Festkörper, de Gruyter (1992)

     

     

  • Übung zur Vorlesung "Halbleitercharakterisierung", (2 SWS)
  • Dozent: J. Schmidt, immer montags unmittelbar nach der Vorlesung.

     

     

  • Seminar "Solarzellen aus Heterostrukturen" (2 SWS) mit der Möglichkeit zum Scheinerwerbs gehört zu Modul 1231: Fortgeschrittene Solarenergieforschung
  • Dozenten: P. Altermatt, R. Brendel, jeweils mittwochs 8:30 -10:00 im Institut in der Appelstraße 2, Raum 203.

     

    Inhalt: Heutzutage werden die allermeisten Solarzellen aus Silizium hergestellt und haben einen diffundierten pn-Übergang – eine sogenannte "Homojunction", bei der beide Seiten des pn-Übergangs aus dem gleichen Material bestehen. Aus grundsätzlichen Überlegungen folgt, dass ein Hetero-Übergang, bei der der pn-Übergang entlang der Grenzfläche von verschiedenen Materialien erzeugt wird, günstiger sein kann. Die physikalische Beschreibung solcher "Heterojunctions" wird im Seminar besprochen.In diesem Seminar gewinnen Sie einen Überblick über die Physik der Solarzelle sowie einen umfassenden Einblick in die für Solarzellen wichtige Grenzflächenphysik. Themen sind:

     

  • Der Shockley-Qeisser Limit
  • Was sind die grundlegenden Verluste in Solarzellen? Welche von ihnen limitieren den Wirkungsgrad am meisten?

     

     

  • Rekombination von Ladungsträgern im Volumen von kristallinem Silizium:Physikalische Beschreibung und experimentelle Analysemethoden
  • Dieser Vortrag beinhaltet die SRH- und Auger-Rekombination sowie QSSPC-Messungen.

     

     

  • Rekombination von Ladungsträgern an der Silizium Grenzfläche: Physikalische Beschreibung und experimentelle Analysemethoden
  • SRHRekombination an der Oberfläche, die Raumladungszone an Grenzflächen, Grenzflächen-Zustandsdichte.

     

     

  • Die c-Si/a-Si-Grenzfläche
  • Kristallines und amorphes Si werden in der Praxis kombiniert. Doch wie gut ist das Verständnis dieses Hetero-Überganges? WelcheParameter spielen eine wichtige Rolle?

     

     

  • XPS-Analysen von c-Si/a-Si Grenzflächen
  • Die atomare Struktur in Grenzflächennähe spielt für das Verhalten des Hetero-Überganges eine sehr großeRolle.

     

     

  • Sperrsättigungsströme von Homojunctions und Heterojunctions
  • Dieser Vortrag beschreibt die Vorteile einer Solarzelle mit Hetero-Übergang.

     

     

  • Transport in amorphem Silizium
  • Der Transport der Ladungsträger in Zellen mitHetero-Übergängen hängt von beiden Materialien ab und kann durch a-Si limitiertsein.

     

     

  • Die HIT Zelle der Firma Sanyo
  • Sie besteht aus einem kristallinen Si Wafer und hat einen Emitter aus amorphen Si. Wie wird sie hergestellt? Wie kann man ihre Funktionsweise und ihre Vorteile verstehen?

     

    Kontakt: P.P. Altermatt (p.altermatt@isfh.de)

    Weitere Informationen PDF-Download

     

  • Literaturseminar "Photovoltaik" (2 SWS)
  • Dozent: P.P. Altermatt, voraussichtlich jeweils freitags 9:00-11:00Ort: ISFH, Vortragssaal, Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal

     

    Behandlung wichtiger Veröffentlichungen aus dem Bereich der Silizium-Photovoltaik. Dieses Seminar ist insbesondere für Diplomanden und Doktoranden der Abteilung Solarenergie zur Vertiefung des Fachwissens geeignet.Gäste sind willkommen und werden gebeten, sich bei Dr. P.P. Altermatt (p.altermatt@isfh.de) anzumelden.

     

  • ISFH-Kolloquium "Solarenergieforschung" (2 SWS)
  • Organisation : R. Reineke-Koch, jeweils dienstags 14:00-16:00Ort: ISFH, Vortragssaal, Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal

     

    Zu aktuellen Themen der Solarenergieforschung laden wir externe Referenten ein. Die Themen der Vorträge sowie die genauen Termine finden Sie hier unter "Veranstaltungen". Gäste sind stets willkommen.

    © 2006-2010 Institut für Solarenergieforschung GmbH, Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal - Tel. 05151-999-100 - info@isfh.de