Apparative Ausstattung
- Reinraumlabore für Siliciumtechnologie bis 156 × 156 mm2
- Laserlabor mit acht Lasermaterialbearbeitungssystemen
- Siebdrucktechnologie
- Dotierprofilmessung mit ECV-Profiler
- Remote- und Direkt-Plasmabeschichtungsanlagen, großflächige In-line Remote-Plasmabeschichtungsanlage
- Lampenofen (RTP)
- Wasserstoff-Temperofen für 6”-Wafer
- Verbindungs- und Modultechnologie: Löttechnik und Laminator, mechanische Prüfgeräte
- Klimakammern sowie UV- und Halogenlampen-Bestrahlungsplatz
- Sonnensimulator (einschließlich intensitätsabhängiger I/U-Kennlinien), spektrale Empfindlichkeit (SR), intensitätsabhängige Leerlaufspannung (Suns-Uoc), spektral- und ortsaufgelöste Kurzschlussstrom-Messungen (SR-LBIC), Isc/Uoc-Transientenmessungen, Lock-In Infrarot-Thermografie, kamerabasierte Elektrolumineszenz
- Mikrowellen-detektiertes Photoleitungsabklingen (MW-PCD),
- Infrarotkamera-Lebensdauertopographie (ILM)
- Quasistatische Photoleitung (QSSPC)
- Injektions- und temperaturabhängige Lebensdauerspektroskopie (TIDLS)
- Aufnahme von Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien (C/V)
- Transiente Kapazitäts-Spektroskopie (DLTS)
- Laserstrahlinduzierter Strom (LBIC)
- FTIR-und UV/VIS-Spektrometrie
- Spektralellipsometrie
- Licht- und Rasterelektronenmikroskopie
- Energiedispersive Röntgenanalyse (EDX)
- Elektronenstrahlinduzierter Strom (EBIC)
- Kamerabasierte Photolumineszenz und Thermographie für Module
- Modulflasher
